Транзисторные сборки Дарлингтона


ULN2003

ULN2003

  • Тип корпуса DIP16
  • Массив из семи NPN транзисторов Дарлингтона, способных выдавать ток 500 мА и напряжение 50 В
  • 14 руб.

    КР159НТ1Б

    КР159НТ1Б

  • Тип корпуса DIP8
  • Матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
  • 10 руб.

    КР198НТ1А

    КР198НТ1А

  • Тип корпуса DIP14
  • Матрицы n-p-n транзисторов.
  • 9 руб.

    КР198НТ2А

    КР198НТ2А

  • Тип корпуса DIP14
  • Матрица n-p-n-транзисторов
  • 8 руб.

    КР198НТ4Б

    КР198НТ4Б

  • Тип корпуса DIP14
  • Матрица n-p-n транзисторов.
  • 8 руб.

    КР198НТ5А

    КР198НТ5А

  • Тип корпуса DIP14
  • Матрица p-n-p транзисторов.
  • 9 руб.

    КР198НТ5Б

    КР198НТ5Б

  • Тип корпуса DIP14
  • Матрица p-n-p транзисторов.
  • 7 руб.

    КР198НТ6А

    КР198НТ6А

  • Тип корпуса DIP14
  • Матрица p-n-p транзисторов.
  • 7 руб.

    КР198НТ6Б

    КР198НТ6Б

  • Тип корпуса DIP14
  • Микросхемы представляют собой матрицу p-n-p транзисторов.
  • 18 руб.

    КР198НТ7А

    КР198НТ7А

  • Тип корпуса DIP14
  • Матрица из p-n-p транзисторов.
  • 6 руб.

    КР198НТ8А

    КР198НТ8А

  • Тип корпуса DIP14
  • Набор p-n-p транзисторов
  • 7 руб.

    КР504НТ1А

    КР504НТ1А

  • Datasheet
  • Тип корпуса DIP8
  • 19 руб.

    КР504НТ1Б

    КР504НТ1Б

  • Тип корпуса DIP8
  • Слаботочная согласованная пара полевых транзисторов, предназначенных для применения во входных каскадах усилителей постоянного тока, в дифферренциальных и операционных усилителях и коммутаторах.
  • 7 руб.

    КР504НТ2А

    КР504НТ2А

  • Datasheet
  • Тип корпуса DIP8
  • 8 руб.

    КР504НТ2Б

    КР504НТ2Б

  • Datasheet
  • Тип корпуса DIP8
  • 8 руб.

    КР504НТ2В

    КР504НТ2В

  • Datasheet
  • Тип корпуса DIP8
  • 19 руб.

    КР504НТ3Б

    КР504НТ3Б

  • Тип корпуса DIP8
  • Сильноточную согласованную пару полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом, предназначенных для применения во входных каскадах усилителей постоянного тока, в дифферренциальных и операционных усилителях и коммутаторах.
  • 8 руб.

    КР504НТ3В

    КР504НТ3В

  • Datasheet
  • Тип корпуса DIP8
  • 19 руб.

    КР504НТ4В

    КР504НТ4В

  • Тип корпуса DIP8
  • Сильноточная согласованная пара полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом, предназначенных для применения во входных каскадах усилителей постоянного тока, в дифферренциальных и операционных усилителях и коммутаторах.
  • 13 руб.

    Показано с 1 по 19 из 19 (всего 1 страниц)